Características
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Carasteristicas:
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Tipo FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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30 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
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3.16 A (Ta)
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
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4.5V, 10V
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
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47mOhm a 3.5A, 10V
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Vgs(th) (máx) a Id
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3V a 250µA
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
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4.5 nC @ 5 V
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Vgs (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
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305 pF @ 15 V
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Característica de FET
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-
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Disipación de potencia (Máx.)
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750mW (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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