Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 48 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Serie | HiperFET |
Tipo de Encapsulado | TO-264AA |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 100 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Disipación de Potencia Máxima | 500000 mW |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 19.96mm |
Ancho | 5.13mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 270 nC a 10 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 26.16mm |
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