Características
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Carasteristicas:
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Tipo FET
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Canal P
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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30 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
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4.1 A (Ta)
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
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4.5V, 10V
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
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52mOhm a 4.1A, 10V
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Vgs(th) (máx) a Id
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2.4V a 250µA
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
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11 nC @ 10 V
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Vgs (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
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520 pF @ 15 V
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Característica de FET
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-
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Disipación de potencia (Máx.)
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1.4W (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3
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