Características
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Carasteristicas:
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Tipo FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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30 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
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100mA (Ta)
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
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2.5V
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
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8Ohm a 10mA, 4V
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Vgs(th) (máx) a Id
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1.5V a 100µA
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Vgs (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
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13 pF @ 5 V
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Característica de FET
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-
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Disipación de potencia (Máx.)
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200mW (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-323
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