Características
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| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 10 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 400 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 550 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 125 W |
| Altura | 9.01mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 36 nC a 10 V |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1030 pF a 25 V |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 24 ns |
| Longitud | 10.41mm |
| Dimensiones | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
| Ancho | 4.7mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 10 ns |
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