Tipo de Canal |
N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje |
116 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente |
30 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente |
7 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima |
1V |
Tensión de umbral de puerta mínima |
1V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente |
-16 V, +16 V |
Tipo de Encapsulado |
TO-220AB |
Tipo de Montaje |
Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines |
3 |
Configuración de transistor |
Simple |
Modo de Canal |
Mejora |
Categoría |
MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima |
180 W |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds |
3290 pF a 25 V |
Ancho |
4.69mm |
Número de Elementos por Chip |
1 |
Material del transistor |
Si |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico |
11 ns |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico |
23 ns |
Altura |
8.77mm |
Longitud |
10.54mm |
Dimensiones |
10.54 x 4.69 x 8.77mm |
Serie |
HEXFET |
Temperatura Máxima de Funcionamiento |
+175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima |
-55 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs |
60 nC a 4,5 V |