| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 116 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 180 W |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 3290 pF a 25 V |
| Ancho | 4.69mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 11 ns |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 23 ns |
| Altura | 8.77mm |
| Longitud | 10.54mm |
| Dimensiones | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
| Serie | HEXFET |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 60 nC a 4,5 V |