Características
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| Equivalentes | IRF640A / IRF620FI |
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 18 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 150 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Configuración de transistor | Simple |
| Conteo de Pines | 3 |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
| Serie | HEXFET |
| Altura | 8.77mm |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1160 pF a 25 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 67 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 23 ns |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 10 ns |
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