Características
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| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 50 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 40 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.1V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Configuración de transistor | Simple |
| Conteo de Pines | 3 |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 75 W |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 16.51mm |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1500 pF a 25 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 30 ns |
| Ancho | 4.83mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 180 N |
| Dimensiones | 10.67 x 4.83 x 16.51mm |
| Longitud | 10.67mm |
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