Características
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| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 1 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 35 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-39 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 0,8 W |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 25 |
| Tensión Base Máxima del Colector | 80 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 6 V |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 100 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor | 2 V |
| Dimensiones | 9.4 (Dia.) x 6.6mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +200 °C |
| Altura | 6.6mm |
| Diámetro | 9.4mm |
| Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor | 1,3 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65 °C |
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