Características
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| Tipo FET | Canal N |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
| Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC | 10 A (Ta) |
| Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C | 23mOhm a 10A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) en Id | 2.6V a 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 8,6nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 448pF @ 15V |
| Característica de FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 3.1W (Ta) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montaje en superficie |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) |
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